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阿里图八：在Au（111）上生长均匀单层MoS2单晶示意图及表征图9.AdvancedMaterials二维铁磁性Cr2S3半导体可控生长和厚度导电性依赖二维磁性材料作为构造多功能电子和自旋电子设备的理想平台引起了广泛的关注。通过选择不同的2D过渡金属二卤化金属（TMDC），对杭p-n结具有定制的能带排列方式，并具有出色的光电探测器性能。

网友谈影响图四：超薄PbSnS2薄片CVD生长和表征示意图5.Adv.Funct.Mater.盐辅助生长P型Cu9S5纳米薄片用于高响应性的P-N异质结光电探测器基于二维（2D）范德华异质结构的p-n结是下一代电子学和光电子学中最有希望的替代方法之一。阿里湖北大学王喜娜课题组与北京大学张艳锋课题组合作通过便携式水热法成功地在10×20cm2大小的Ni泡沫上合成了由Ni3S2纳米晶体（尺寸10nm）装饰的a-MoSx薄片的杂化催化剂。图六：对杭H相VS2单层膜的合成与表征示意图7.Adv.Funct.Mater.通过氧等离子体处理具有宽带响应的巨型增强型2DSnS2光电探测器层状二硫化锡（SnS2）由于其高的载流子迁移率和出色的光响应性而成为具有多种功能的重要半导体，对杭由于费米能级钉扎效应（显着的金属接触电阻）的固有缺陷Vs（硫空位），从而使其无法在光电器件应用中充分发挥其潜在的性能。

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这项工作为阐明2D磁性材料的可扩展的合成、对杭传输和磁性能探索提供新的见解。

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